мұндағы
λ – кезекті екі соқтығысу арасындағы электрондардың еркін жолының орташа ұзындығы.
Бейтарап атомды (молекуланы) иондау үшін А¡ жұмыс атқару керек.
mv²/2 ≥ А¡ - атоммен соқтығысқан электрон оны иондайды, яғни бір электронның орнына екі электрон (атомға соғылған және одан бөлініп шыққан) пайда болады.
Олар өз кезегімен өрістен энергия алады да, әрқайсысы тағы да жолында кездескен атомбы иондайды. Бұл процесс осылайша жалғаса береді. Сөйтіп, зарядталған бөлшектер саны шапшаң артып, электрондар «тасқыны» пайда болады. Мұндай процесс электрондық соққымен иондалу деп аталады. Алайда электрондық соққымен иондалу дербес разрядты қамтамасыз ете алмайды. Өйткені өрістің әсерінен анодқа қарай қозғалған электрондар жұмыстан шығып қалады. Мұндайда дербес разрядты қолдауға екінші реттік процестер қатысады. Электрондар бейтарап атомдармен соқтығысып, оларды иондаған кезде пайда болған оң иондар өріс әсерінен мол кинетикалық энергия алып, катодты атқылайды да, одан электрондарды жұлып шығарады. Бұл процесс екінші реттік электрондық эмиссия деп аталады. Газдағы дербес разряд катодты қыздыру арқылы электрондар шығаруға негізделген термоэлектрондық эмиссия процесінің нәтижесінде де пайда болады. Тәуелді разрядтың дербес разрядқа көшуі газды тесіп өту деп, ал ол көрнеу тесіп өту көрнеуі деп аталады. Біртекті өрістегі тесіп өту көрнеуі – газ қысымы мен электродтар арасы қашықтығының көбейтіндісіне тең (Пашен заңы). Дербес разрядтардың көптеген түрлері бар. Разрядтардың бұл түрлері, ең алдымен, ток жүру нәтижесінде бейтараптанған зарядтарды толықтырып отыратын катодтағы эмиссиялық процестермен анықталады. Токтың тығыздығы аз болғанда (газ мейлінше сиретілгенде) электрондардың катодтан разрядтық аралыққа шығуы оң иондардың катодты атқылауы, фото-эффект құбылысы және метасбильді атомдардың әсері арқылы жүзеге асады. Мұндай разряд солғын разряд деп аталады. Катодтағы ток тығыздығының артуы нәтижесінде разрядтың негізгі сипаттамаларын күрт өзгертетін доғалық разряд пайда болады.
