Тақырып VII. Жартылай өткізгіштер

1) Егер Холл коэффициенті м³*K^-1 болса, Si кристалының меншікті өткізгіштігін анықтаңыз.

2. 
   Жартылай өткізгіштегі өзіндік концентрацияны анықтаңыз, кемтіктердің жылдамдығы см²/В*с, меншікті өткізгіштік 1/Ом*см.
   

6. 
   20 °С температурада электрондардың жылдамдығы м²/В*с және кемтіктердің жылдамдығы м²/В*с, сонымен қатар ток тасымалдағыштарының бірінің концентрациясы 1/см^3, германидің меншікті кедергісін анықтаңыз.
   
7. 
   Бағытталған кристалдау әдісімен тазартылған германидің меншікті кедергісі Ом*см. қоспа донорлы деп есептеп, электрондар жылдамдығы м²/В*с кезіндегі қоспаның концентрациясын есептеңіз.
   
8. 
   РbS кристалының °С кезіндегі кедергісі 10⁴ Ом. °С кезіндегі кедергіні анықтаңыз.
   
9. 
   К кезінде таза германидің меншікті кедергісі 0,47 Ом*м. Берілген температурадағы өзіндік тасымалдағыштардың концентрациясын есептеңіз. м²/В*с , м²/В*с.
   
10. 
    Ұзындығы 700 нм болатын толқында сәулеленетін галлии фосфоридінің ПӘК анықтаңыз. В кернеуде электролюминесценцияның кванттық шығысы 5 % құрайды.
    
11. 
    n-типті тік бұрышты мм, мм, мм болатын жартылай өткізгіш Тл индукциялы магнит өрісіне енгізілген. Магнит индукциясының векторы материалға перпепендикуляр орналасқан. Материалдың бойымен берілген В кернеу әсерінен мА ток жүреді. Өлшеу холл ЭҚК мВ көрсетеді. Меншікті өткізгіштікті, заряд тасымалдағыштардың концентрациясы мен жылдамдығын анықтаңыз. электр өткізгіштік бір таңбалы тасымалдағыштармен негізделген.
    
12. 
    Егер өткізгіштік электрондар концентрациясы 10²² м^-3 , ал олардың қозғалысы м²/В*с болса, n-типті жартылай өткізгіштің меншікті кедергісін анықтаңыз.