Электроника
Биполярлы транзистордың жұмыс режимдері
жүктеу/скачать 2,72 Mb. Pdf көрінісі
|
электроника
Лабораторная работТрансформатор, Баяндама тәрбие Мадина, Үйкеліс детка, ОлшеуТеория, зертхана
| 1.4.3 Биполярлы транзистордың жұмыс режимдері.
Салыстырып қарағанда, n-р-n және р-n-р транзисторларының жалпы жұмыс істеу принциптері бірдей, айырмашылығы тек біріншісінде, ток түзетін заряд тасушылары негізінен электрондар да , екіншісінде – кемтіктер. Транзистордың электродтарына түсірілген кернеулерге байланысты транзистор әртүрлі, қанығу, белсенді (күшейту), инверстік және қима режимдерде жұмыс істей алады. Транзистордың жұмыс режимдерінің орындалу шарттары (1.28 сурет): 1) Белсенді (күшейту) режимі - «эмиттер-база» ашық , «коллектор-база» жабық . 2) Инверстік режимі - «эмиттер- база» жабық , «коллектор - база» ашық . 3) Қанықпа режимі - «эмиттер - база» жабық , «коллектор - база» ашық . 4) Қима режимі - «эмиттер – база» жабық , «коллектор - база» жабық . Транзистордың р-n ауысуларын сыртқы кернеу көздеріне қосу әдісіне байланысты ол белсенді (күшейту) режимде, қима режимде, немесе қанықтыру режимде жұмыс істей алады. 1.29 сурет - Транзисторды жұмысқа қосу режимдері 49 Қима режимінде эмиттер және коллекторлардың p-n ауысулары сыртқы қоректендіру көздеріне кері бағыттарда қосылады. Бұндай жағдайда екі p-n ауысулары жабық жағдайларда болады да, транзистордың бойынан тек қана эмиттер мен коллектордың кері токтары жүреді. Қанықпа режимінде эмиттер және коллекторлардың p-n ауысулары сыртқы қоректендіру көздеріне тіке бағыттарда қосылады. Бұндай жағдайда екі p-n ауысулары ашық жағдайларда болады да, транзистордың бойынан эмиттер мен коллектордың қанықпа токтары жүреді. Қима және қанықпа режимдері транзисторлардың импульстік сұлбаларда жұмыс істегенде және ажыратып-қосу режимдерінде қолданылады. Белсенді немесе күшейту режимде заряд тасушыларын жинау үшін n-р-n транзисторының коллекторына (электрондарды қабылдау үшін) оң кернеу түсіріледі де, р-n-р транзисторының коллекторына теріс кернеу беріледі. Олардың база кернеуі мен токтарының бағыттары да қарама-қарсы бағытта болады. Суретте көрсетілгендей эмиттер тогы (I э ) коллектор (I к ) және база (I б ) токтарының қосындысына тең: I э = I к + I б . Оның үстіне I к -ның сан мәні I э - ге жақын да , I б өте аз болады. Транзистордың күшейткіштік қасиетінің өзі осында: өте аз шамалы база тогымен үлкен коллектор тогын басқаруға мүмкіндік аламыз. Ал база тогының пайда болу себебі, ондағы электрондар мен кемтіктердің бір-бірімен қосылып, өзара бейтарап бөлшектер құруы болғандықтан (бұл процесті рекомбинация деп айтады), осы құбылыстың әсерін азайтуға тырысады. Ол екі түрлі жолмен жүргізіледі: - біріншіден, база аймағының қоспа мөлшерін эмиттер қоспасынан әлдеқайда аз жасап, эмиттерден келген) электрондарға базадан табылатын кемтіктерді жеткіліксіз етеді; - екіншіден, эмиттерден келген электрондардың базадағы кемтіктермен рекомбинацияға түсіп үлгермей коллекторға бірден өтіп кетуі үшін базаның енін өте тар жасайды (микрондармен өлшенеді). Міне, осы айтылған екі себептің арқасында база тогының шамасын өте азайтып, транзистордың күшейткіштік қасиетін әлдеқайда арттыруға болады. жүктеу/скачать 2,72 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|