Iэ тогы эмиттерлер, VT1 және VT2 дифференциалды күшейткіші тогының сомасы болып табылады және ол VT3-те тұрақты токтың генераторымен беріледі. ТТГ схемасы – бұл жалпы базамен схема бойынша күшейткіш. Оның шығыс кернеуі схемадағы RЭ-дан көбірек . VT3 базасына орын ауыстыру R1, VD, R2 бөлгіштері арқылы беріледі. VD диоды термокомпенсация үшін әділ қызмет етеді.
R1>> R2, Rэ шарты орындалу керек. I1 тогы R1 тұрақтылығы арқылы, себебі R1 үлкен және температураға еш тәуелді емес. Өз кезегінде Кирхгофтың бірінші заңына байланысты .
Температураны жоғарылатқан кезде VT3 кіріс сипаттамасы солға ығысады, яғни эмиттер Iэ3 тогы көбейеді. Бір уақытта VD диодының кернеуі азайып, I2 тогы көбейеді. Осыдан шыға, I1 ‑ I2 тең, Iб3 тогы азаяды. Iк3 = Iб3 тогы да азаяды. Осыған сай, дифференциалды күшейткіштің Iэ эмиттер тогы тұрақты болады.
Iэ-ды аналитикалық жолмен анықтайық.
Iб3 << Iэ болғандықтан, Iэ3 = Iк3 = Iэ есептеуге болады, онда
. (1.1)
Iб3 << I1 болғандықтан, I1 = I2. 1.3 суретінде көріп тұрғандай
. (1.2)
(1.1) суретінен ескере отырып, Iэ табамыз.
,
яғни Iэ тогы температураға тәуелді емес, ТТГ-нан да сол сұралады.
1.1.3 Дифференциалды күшейткіштердің түрлендірілген схемалары.
ДК-ның түрлендірілген схемаларында келесілер қолданылады:
а) ДК кірістеріне қосымша транзисторлары қойылады (Дарлингтон жұбы), олардың кіріс кернеулері әлдеқайда жоғары және ток тасымалдау коэффициенті екі транзисторға тең;
б) ДК кірісінің алдына эмиттерлік қайталағыштар қойылады, олардың кіріс кедергісі бірнеше килоом;
в) кірісінде өрістік транзисторларымен ДК;
г) динамикалық жүктемесімен ДК.
