REZYUME
. Ushbu maqolada matritsaning normal shakli matritsa polinomlarini bir nechta misollarda yechish orqali
tuzilgan.
РЕЗЮМЕ
. В статье нормальная форма матрицы Жордана строится путем решения матричных полиномов на
нескольких примерах.
SUMMARY.
In this article, the Jordan normal form of a matrix is constructed by solving matrix polynomials in several
examples.
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ОБРАБОТКА КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ
ДИОДОВ ШОТТКИ Au-TiB
x
-n-SiC 6H
А.Б.Камалов
–
доктор физико-математических наук, профессор
С.К.Абдижалиев
–
доктор философии по физико-математическим наукам
Нукусский государственный педагогический институт имени Ажинияза
Д.Абдуллаева –
магистрант
Каракалпакский государственный университет имени Бердаха
Taянч сўзлар
: кремний карбиди, Шоттки барьери, барьер баландлиги, ноидеаллик фактори.
Ключевые слова:
карбид кремния, барьер Шоттки, высота барьера, фактор неидеальности.
Key words:
silicon carbide, Schottky barrier, barrier height, factor nonideality.
В последние годы, несмотря на сложности техноло-
гии получения структурно-совершенного карбида
кремния, интерес к исследованию полупроводниковых
приборов, изготовленных на основе этого материала
сильно возрос. Причиной этого являются уникальные
свойства полупроводникового карбида кремния [1].
Отличительной особенностью диодных структур на
основе карбида кремния является их высокая термиче-
ская и радиационная стойкость. Эффекты, обусловлен-
ные влиянием термообработок и воздействия на такие
структуры высокоэнергетической ионизирующей ради-
ации хорошо изучены и учтены в технологии соответ-
ствующих карбидкремниевых приборов. Однако слабо
изучены радиационные эффекты в карбидкремниевых
приборных структурах при малых дозах радиационных
воздействий. Тогда, как в технологии Si и GaAs прибо-
ров методы низкодозовых радиационных обработок
нашли применение еще в 80-х годах прошлого века [2].
В качестве малодозовых воздействий ряд авторов ис-
пользовал сверхвысокочастотные обработки, которые
по своим эффектам были аналогичны низкодозовым
ионизирующим обработкам (γ-радиация, быстрые элек-
троны) [2, 3, 4]. В то же время практически не известны
работы по влиянию сверхвысокочастотного излучения
на свойства карбидкремниевых приборных структур, в
том числе с барьером Шоттки. Поскольку последние
представляют интерес для использования их в качестве
активных элементов в сверхвысокочастотной электро-
нике, то исследование эффектов стимулированных ма-
лодозовыми
сверхвысокочастотными
обработками
представляются интересными как с точки зрения экс-
плуатации приборов, так и технологической, как воз-
можность управления свойствами поверхностно-
барьерных структур.
В этой работе приведены результаты исследований
карбидкремниевых диодных структур, обработанных
сверхвысокочастотным излучением. Диодные структу-
ры изготавливались на массивном монокристалличе-
ском карбиде кремния n-типа (политип 6Н), выращен-
ном методом Лели. Толщина слоя TiB
x
была 80нм, Au-
100нм. Диаметр диодной структуры~200мкм.
Режим облучения осуществлялся в свободном про-
странстве при неизменном расстоянии от выхода вол-
новода до облучаемого образца. Частота облучения 2,45
ГГц, удельная мощность ~1,5 Вт/см
2
. Интенсивность
сверхвысокочастотного воздействия варьировалась из-
менением времени экспозиции. Температура разогрева
образцов при данном типе и длительности обработки не
превышала комнатной. До и после сверхвысокочастот-
ного облучения измерялись вольтамперные характери-
стики диодных структур, из которых рассчитывались
высота барьера υ
В
и фактор идеальности n. На рис. 1.
приведены прямые ветви вольт-амперной характери-
стики диода Шоттки до и после сверхвысокочастотного
облучения. Видно, что вольт-амперные характеристики
описываются зависимостью
|
