Розділ Напівпровідникові прилади та їх використання в обчислювальній техніці
жүктеу/скачать 171 Kb.
|
розділ 2
- Бұл бет үшін навигация:
- 2.8.2. Архітектура флеш-пам’яті
- 2.8.3. Архітектура NOR
| 2.8.1. Флеш-пам’ять
Найновішим типом змінного накопичувача, не основаного на принципі магнітного запису є флеш-пам’ять (Flash-memory). Флеш-пам’ять можна означити як особливий вид енергонезалежної, напівпровідникової пам’яті з можливістю перезапису. Вона: енергонезалежна, оскільки не вимагає додаткової енергії для зберігання даних. Енергія потрібна тільки для запису.; має можливість перезапису даних як окремих блоків пам’яті, так і пам’яті цілком; напівпровідникова (твердотільна), оскільки побудована на основі інтегральних мікросхем і не має рухомих механічних частин (як жорсткі диски або СD). Принципова відмінність флеш-пам’яті від RAM полягає в її енергонезалежності. Ця пам’ять може на протязі необмеженого часу (десятки років) зберігати інформацію при відсутності зовнішнього живлення. Основною структурною одиницею, яка використовується для зберігання біта інформації, у флеш-пам’яті є МДН транзистор з плаваючим затвором. Заміни пам’яті DRAM і SRAM флеш-пам’яттю не відбувається через такі причини: Суттєво повільніша робота; Обмеження по кількості циклів перезапису (104 – 106). 2.8.2. Архітектура флеш-пам’яті Комірка флеш-пам’яті на основі транзистора з плаваючим затвором може використовуватись для створення масивів енергонезалежної пам’яті. Для цього потрібно певним чином об’єднати в один масив множину таких комірок, тобто створити архітектуру пам’яті. 2.8.3. Архітектура NOR Дана архітектура була розроблена для флеш-пам’яті фірмою Intel в 1988 році. За допомогою такої схеми здійснюється перетворення вхідної напруги у вихідну, яка відповідає логічним „0” і „1”. Пояснимо принцип дії такої схеми. Для цього умовно припустимо, що опір відкритого транзистора дорівнює нулю, а опір закритого - якомусь дуже великому значенню (що є недалеким від істини). Нехай в початковому стані на вході всіх транзисторів схеми немає сигналу („0”), вони закриті, відповідно на виході С є потенціал, оскільки вся схема є подільником напруги. Потенціал на виході відповідає логічній „1”. Якщо на вході А є сигнал, а на вході В – нема, то транзистори Т3 відкривається, його опір стає рівним нулю, і, значить, потенціал на виході стає рівним нулю (логічний „0”). Те ж саме спостерігається при відсутності сигналу на вході А, і присутності – на В. Тепер транзистор Т4 відкривається і закорочує вихід С на корпус. При подачі напруги на обидва входи А і В схеми всі транзистори відкриються і знову потенціал на виході С дорівнює нулю. Недоліки: Погане масштабування.Kомірка пам’яті покрита сіткою провідників ліній слів і біт. Оскільки запис інформації в комірку відбувається методом інжекції „гарячих” електронів, що вимагає високої напруги, всі лінії слів, біт і витоків необхідно розміщувати на достатньо великій відстані одна від одної для забезпечення достатньої ізоляції. Це є причиною неможливості зменшення площі мікросхем шляхом мінімізації розмірів транзисторів нижче деякого масштабу. Іншим недоліком такої комірки є ефект надлишкового видалення заряду з плаваючого затвору, який не може компенсуватись процесом запису. В результаті, на плаваючому затворі утворюється додатній заряд і транзистор завжди залишається у відкритому стані. жүктеу/скачать 171 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|