Тлеющий разряд



Pdf көрінісі
бет10/15
Дата01.12.2022
өлшемі0,69 Mb.
#160807
түріАвтореферат
1   ...   7   8   9   10   11   12   13   14   15
Байланысты:
Bolbukov-avtoreferat FIN(1)

Четвертая глава
посвящена описанию результатов изучения зависимости про-
странственного распределения плазмы и интенсивности распыления мишени от конфи-
гурации неоднородного магнитного поля.
На рис. 8а представлена конфигурация поля магнита диаметром 60 мм, а на рис. 8б 
– зависимости от расстояния 
r
до оси катода нормальной 
B
n
(штриховые кривые) и тан-
генциальной 
B
τ
(сплошные кривые) составляющей вектора магнитной индукции на по-
верхности мишени (кривые 
1
) и на расстоянии от нее 25 мм (
2
) и 50 мм (
3
). Арочная 
конфигурация поля на периферии мишени вызывает азимутальный дрейф эмитирован-
ных ее поверхностью электронов. В образовавшейся здесь магнитной ловушке длина их 
пути до анода увеличивается, и скорость распыления мишени становится немного 
больше, чем в ее центре (кривые 2 на рис. 6). После установки магнита с диаметром 85 
мм составляющая 
B
n
магнитной индукции на краю мишени (пунктирная кривая на рис. 
8б) повысилась от 1 до 6 мТл и затруднила уход электронов из ловушки. В результате 
при 
U
м
= 1 кВ и токе катода 
I
к
= 1 А плотность тока на сетку снизилась от 5 до 2,5 А/м
2

а средняя плотность ионного тока на мишень возросла от 11 до 37 А/м
2
и стала в 15 раз 
выше плотности тока на сетку. Доля тока ионов из эмиттера на мишень 

повысилась от 
25 до 56%, а скорость распыления мишени возросла до 22 мкм/ч. 
Для оценки эффективности разработанного источника при синтезе покрытий в уг-
лублениях диэлектрических изделий на двух подложках из поликора (Al
2
O
3
) высотой 48 
мм и длиной 60мм, установленных на расстоянии 25 мм друг от друга на вращающемся 
в центре камеры со скоростью 8 об/мин столе, после добавления к аргону 15% азота при 
напряжении на мишени 
U
м
= 1,2 кВ, токе 
I
к 
= 3 A в цепи полого катода, плотности экви-


14 
валентного тока
j
= 14 A/м
2
быстрых молекул с энергией ε = 200 эВ в течение 6 часов 
синтезировались покрытия из нитрида титана. 
Рис. 8а. Линии магнитного поля. 
Рис. 8б. Зависимости магнитной индукции B от r. 
 
Верхняя часть подложек была закрыта масками. После осаждения покрытий их 
снимали и на разных расстояниях от одного из краев подложки измеряли высоту δ сту-
пенек между открытыми и закрытыми масками поверхностями. На внешней поверхно-
сти пластины толщина покрытия распределена достаточно однородно и составляет δ ~ 5 
мкм (рис. 9а). На внутренней поверхности пластины толщина покрытия снижается от ~ 
5 мкм на краях до ~ 3,2 мкм в середине пластины (рис. 9б). Тем не менее, на внешних и 
внутренних поверхностях пластин микротвердость покрытий ~ 2400 HV25 и их золоти-
стый цвет одинаковы. Дифрактограмма покрытия на внутренней поверхности пластины 
не отличается от дифрактограммы покрытия на ее внешней поверхности и соответствует 
покрытиям состава TiN, осаждаемым стандартным методом магнетронного распыления. 
Для синтеза покрытий на второй паре таких же подложек использовались электро-
дуговой испаритель металла с током дуги 100 А и источник пучка молекул азота с энер-
гией ε = 200 эВ и эквивалентным током 0,5 А, оси которых перпендикулярны друг дру-
гу. В течение 4 часов на внешних поверхностях вращавшихся подложек были получены 
покрытия темного цвета с достаточно равномерно распределенной по длине толщиной ~ 
3,3 мкм. В то же время на внутренних поверхностях подложек толщина покрытий изме-
нялась от 3 мкм на краях до 1,8 мкм в середине подложки. Микротвердость покрытий на 
внутренних поверхностях подложек составила от 250 HV50 до 300 HV50, что характер-
но для металлического, а не нитридного покрытия. 


15 
а 
б 
Рис. 9. Зависимости от расстояния x до края пластины длиной 60 мм 
толщины δ покрытия (сплошные кривые) и его микротвердости (штриховые 
кривые) на внешней (а) и внутренней (б) поверхностях подложки. 
Таким образом, однородность свойств покрытий, синтезируемых при изменяю-
щихся углах падения частиц на поверхность диэлектрических изделий сложной геомет-
рии с глубокими пазами, обеспечивает лишь разработанный в настоящей работе источ-
ник, в котором траектории атомов металла и быстрых молекул газа совпадают.


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   7   8   9   10   11   12   13   14   15




©www.engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет