Вакуум технологиясының әдістерін классификациялауды энергияның Ei өзара әрекеттесуі арқылы процесті сипаттайтын негізгі параметрлерді және әр түрлі технологиялық үрдістердің орындылығын анықтайтын белгілі бір физикалық әсерге сәйкес келетін жедел иондардың ағымдағы тығыздығын қарастырайық.Диаграмма қатты бөлшектердің соқтығыссыз ағындары бетімен өзара әрекеттесу үшін жасалған. Жоғарыдан бастап, параметрлік алаңнан диаграммаға дейін, тиісті рұқсат етілген қуат ағынының шамасы q=105 Вт/см2. ол әлі де мәжбүрлі салқындату арқылы жойылуы мүмкін.
2сурет. қатты денелердің соқтығыссыз ағындары бетінің өзара әрекеттесу диаграммасы
Диаграммадағы І аймақ (Е<1эВ) табиғаттағы жылулық процестерге сай келеді (химия және металлургияның дәстүрлі әдістері, бұл өз кезегінде төмен температуралы плазмалық әдістері қамтиды). Вакуумды-плазмалық технология үшін жабу аймағы конденсация мен вакуумды булануына алып келеді.
Диаграммадағы І аймақ (Е<1эВ) табиғаттағы жылулық процестерге сай келеді (химия және металлургияның дәстүрлі әдістері, бұл өз кезегінде төмен температуралы плазмалық әдістері қамтиды). Вакуумды-плазмалық технология үшін жабу аймағы конденсация мен вакуумды булануына алып келеді.
ІІ аймақ (Е ~ 10° - 103 эВ) сай келеді конденсация эффектісі үдетілген ион ағыны болып табылады. Бұл иондық төмендеу (кейде оны конденсациялық иондық атқылау деп атайды КИА әдісі)
ІІІ аймақ Е = 103 - 104 эВ болғанда тозаңдану аймағы ұлғаяды, нәтижесінде тозаң кристалдық торлардың түбіне енеді. Бұл энергия аймағы иондық қоспа енгізу катодты шашырау, ионды тазалау процестеріне сай келеді.
IV аймақ Е> 5.I04 (500.I03 эВ дейін). Бұл процесс иондық енгізу немесе иондарды имплантациялау болып табылады.
Бұл шекаралар жеткілікті түрде шартты болып табылады, өйткені, тәжірибе жүзінде барлық облыстарды шөгінді, тозаңдану, енгізу және диффузия эффектілері байқалады, бірақ анықталушылар көрсетілген процесс болып табылады.
Катодтық тозаңдану және иондық шөгінді әдістері плазмалық және иондық сәулелендіру деп 2-ге бөлінеді.
Біріншіден, бұл жерде міндетті түрде плазманың иондары қолданылады, олар атмосфералық қысым - 10-3- 10-1 Па кезінде электр разрядында пайда болған кезде болады.
Екіншіден, жоғары вакуумды аймаққа бағытталған және иондық қорек көзінен алынған иондық ағын қолданылады.
